【智快网】12月22日消息，意法半导体今日宣布与理想汽车达成一项战略性长期供货协议，旨在支持理想汽车进一步拓展高压纯电动车市场。
根据协议内容，意法半导体将为理想汽车提供高性能碳化硅(SiC)MOSFET电子元件，这些元件具备更高的开关频率、击穿电压和热阻等特性，有助于显著提升功率晶体管的性能和能效。这些特性在高电压环境下尤为关键，而理想汽车即将发布的800V高压纯电平台将采用意法半导体的第三代1200V SiC MOSFET技术，以满足纯电动车的高性能需求。
理想汽车供应链副总裁孟庆鹏表示：“理想汽车致力于为家庭用户提供超预期的豪华电动车。本次与ST的SiC供货协议签署印证了理想汽车在开发纯电动车产品上的坚定决心。我们期待与全球碳化硅技术领导者ST的未来合作，相信这将是一段富有创新和成功的合作关系。”
意法半导体执行副总裁兼中国区总裁曹志平也表示：“意法半导体是全球功率半导体和宽禁带技术的领军企业，长期以来一直是多家知名汽车制造商和一级供应商的可靠供应商。此次与理想汽车签署的碳化硅供应协议不仅标志着双方在其他汽车应用方面的长期合作关系，也是未来发展的重要一步。ST将全力支持理想汽车在中国高端新能源汽车市场的发展，通过我们的SiC创新技术，为用户提供卓越的汽车性能和续航里程。”
根据智快网了解，今年6月，理想汽车在理想家庭科技日发布会上推出了800V高压平台5C电池，其充电峰值功率超过500kw，可实现9分30秒内续航400公里，充电22分钟续航600公里的出色性能。此外，5C快充采用低内阻电芯，有效降低了产热量。
理想汽车还宣布计划在2023年底前建设300多个超级充电站，到2025年，将实现3000多个超充站的建设。这些站点平均间隔为100公里，每小时可为9至20辆汽车提供充电服务，以满足不断增长的电动车市场需求。
